RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
55
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2701
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link