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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3058
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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