RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3058
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link