RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3058
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link