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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3188
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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