RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3188
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link