RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 35
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 3188

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
メモリRAM