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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En -17% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2659
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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