RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
101
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
101
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1382
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link