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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
101
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
101
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
6.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
1382
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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