RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
101
Autour de 65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
101
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
1382
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link