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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
39
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
2272
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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