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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
39
27
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
2272
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
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