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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
総合得点
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
総合得点
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
39
周辺 -44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.2
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
27
読み出し速度、GB/s
12.8
14.7
書き込み速度、GB/秒
7.4
9.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2272
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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