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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
39
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
39
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
1788
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-870.A01LF 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
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