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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
39
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
24
读取速度,GB/s
12.8
12.9
写入速度,GB/s
7.4
8.4
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
1788
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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