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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
39
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
1770
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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