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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
39
39
Velocità di lettura, GB/s
12.8
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
1770
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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