RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
92
En 58% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
92
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
1640
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link