RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB

总分
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

总分
star star star star star
V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 92
    左右 58% 更低的延时
V-GEN D4H8GS24A8 8GB 需要考虑的原因
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 92
  • 读取速度，GB/s
    11.7 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1749 left arrow 1640

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
内存RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
内存RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
内存RAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
内存RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
内存RAM