RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
92
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
92
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
1640
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link