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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
52
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2235
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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