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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

总分
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 52
    左右 -58% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.3 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 14900
    左右 1.29 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 10.3
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2173 left arrow 2235

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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
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内存RAM
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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