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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2275
3078
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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