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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2275
2470
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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