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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
76
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
76
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1809
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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