Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Puntuación global
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 37
    En 3% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.9 left arrow 15.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.8 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
    En 1.2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 16.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 13.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2497 left arrow 3170
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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