RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3170
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link