RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
比較する
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
37
周辺 3% 低遅延
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
15.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
11.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
37
読み出し速度、GB/s
15.8
16.9
書き込み速度、GB/秒
11.8
13.8
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2497
3170
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link