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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3938
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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