RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3027
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link