RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3027
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link