RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3762
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link