RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3762
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link