RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3463
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link