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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3463
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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