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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2107
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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