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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2107
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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