RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3501
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link