RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3501
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link