RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3501
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link