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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2468
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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