RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
2468
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link