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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

総合得点
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 49
    周辺 -44% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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