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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3284
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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