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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
51
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3013
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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