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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
9.8
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3013
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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