RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
51
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2892
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Informar de un error
×
Bug description
Source link