RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
51
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3680
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link