RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
51
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
21
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
4119
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link