RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3486
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link